高禁带宽度
（≤3.2 eV）
高热导率
（4.9 W/cm·K）
高击穿电场强
（2~4 MV/cm）
高纯碳化硅粉（纯度 99.9999%）与碳源（石油焦或石墨）在高温催化反应下合成碳化硅粉末，此粉末是晶体生长的原料，其粒度、纯度直接影响晶体质量。
高纯度碳化硅粉末装入石墨坩埚，顶部放置籽晶，在2000°C以上高温，加热升华。碳化硅粉末升华成气相物质，在籽晶表面结晶生长出单晶。最后缓慢降温，得到圆柱形碳化硅晶锭。
使用X射线衍射确定晶向，标记碳化硅晶锭的切割方位。切除碳化硅晶锭两端（存在多晶或高缺陷区域）。用金刚石砂轮将碳化硅晶锭外圆磨削至标准直径。
用金刚石涂层钢丝高速切割，将碳化硅晶锭切割成薄片，由于碳化硅的硬度仅次于金刚石，属于高硬脆性材料，因此切割过程耗时久，易高温裂片。
研磨、抛光是将碳化硅晶圆表面加工至原子级光滑平面。陶瓷研磨盘表面镀上金刚石涂层研磨使表面粗糙度降至μm级。陶瓷抛光盘，配合精密抛光机，获得纳米级光滑表面。
清洗是为了去除加工中残留的颗粒、有机物等及抛光液残留，确保外延或器件制造的表面质量，清洗后通过形貌、晶体缺陷、电学性能等多维度检测验证碳化硅衬底质量。
上海思莱克工业科技有限公司位于上海，总部位于南京。公司经营范围包括：碳化硅衬底、碳化硅单晶、碳化硅晶圆、碳化硅晶体、碳化硅晶片、碳化硅晶锭、碳化硅籽晶等碳化硅材料。以及碳化硅磨粉机、碳化硅破碎机、氢氧化钙生产线、晶体生长炉、晶圆清洗剂等碳化硅半导体工艺产品。还涉及高纯石墨制品、石墨坩埚、等静压石墨、耐磨陶瓷材料、精密陶瓷部件、陶瓷研磨抛光盘、蓝宝石晶体、蓝宝石晶圆衬底、钨钼合金等半导体辅助设备、支撑材料的研发、批发、代购代销。公司专注于6-8英寸碳化硅衬底的研发与产业化，提供高品质的碳化硅衬底、晶体、粉料和加工服务。产品广泛应用于5G通讯、航空航天、轨道交通、光伏储能、风力发电、智能电网、人工智能等领域，是国内少数具备国际竞争力的第三代半导体设备与材料供应商。
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思莱克工业科技参展第22届国家碳化硅会议
思莱克工业科技在第22届国际碳化硅会议展示自主创新研发的8英寸低电阻、零TSD缺陷且BPD密度极低的碳化硅衬底，其技术国际领先，为碳化硅衬底行业发展注入活力。
查看详情思莱克工业科技8英寸低阻碳化硅衬底来袭
8英寸低电阻碳化硅衬底其电阻仅8mΩ・cm，适用于新能源汽车、光伏逆变器等领域，显著降低导通与开关损耗，提升能效和系统可靠性。晶圆零TSD缺陷、BPD密度极低，适用于航空航天、电力电子等高端领域，提高器件寿命和稳定性。
查看详情思莱克氢氧化钙生产线设备正式发往江西
思莱克 1620 氢氧化钙磨粉机（最大进料粒度 30mm、产能 5~22t/h、集选粉磨粉一体）及配套采用脉冲+水雾双除尘串联设计的水雾除尘器发往江西，设备到后团队将迅速安装调试助投产。
查看详情蓝宝石衬底与碳化硅衬底的对比分析
蓝宝石衬底和碳化硅衬底是半导体工业邻域中重要的基础衬底材料，各有优势。蓝宝石衬底成本较低，技术成熟在LED照明领域占主导地位，碳化硅衬底具备高导热、耐高压特性等优异特性，在新能源汽车、5G射频器件等领域应用广泛。
查看详情碳化硅衬底折射率参考标准
碳化硅衬底的折射率因其晶型多样、光学各向异性及对波长、温度等条件的敏感性，难以形成全球统一强制性标准。
查看详情国内碳化硅衬底供应商介绍
国内碳化硅衬底产业已形成以山东天岳、天科合达为龙头，超芯星、思莱克工业科技等多家企业快速发展的格局。思莱克工业科技已实现8英寸衬底量产，产业正朝大尺寸、低缺陷、低成本方向突破，有望提升中国在全球半导体产业链中的竞争力。
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什么是半绝缘型碳化硅衬底
半绝缘型碳化硅衬底具有高电阻率（一般高于 105Ω⋅cm）、宽禁带、高临界击穿电场强度和高热导率的特点优势，可用于制造氮化镓射频器件，广泛应用于通信、航空航天及电子设备领域。
什么是导电型碳化硅衬底
思来克导电型碳化硅衬底具有低电阻、低损耗的特性，可提升电力转换效率，是高效功率器件的核心材料。它通过物理气相传输等工艺制备，主要应用于新能源汽车、光伏储能、工业驱动、轨道交通及智能电网等领域。
什么是12英寸碳化硅衬底
12英寸碳化硅衬底技术实现新突破，单位芯片成本下降30%-40%，助力新能源汽车、光伏逆变器及充电设备实现效率提升与小型化。尽管面临高温晶体生长、缺陷控制及严苛加工等技术挑战，该技术仍为半导体制造带来革命性进展。
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